確定性單離子注入意味著以令人難以置信的精度將單個離子放入底物中，并知道已經發生了注入。Q-One使用超靈敏植入后檢測系統技術來檢測每次離子撞擊時產生的信號。

應用

量子技術

嵌入半導體矩陣中的單個雜質原子作為量子比特（量子比特）顯示出巨大的前景。單離子注入能夠產生大量相同的量子比特陣列，是可重復制造這些和其他量子器件的關鍵途徑。

然而，公差是最小的——每個原子必須非常精確地放置，有時距離其鄰居只有20納米。Q-One是針對此應用而設計的工具，其規格針對這些要求。

應用

摻雜納米材料

Q-One不僅限于注入單個離子。將任何所需的離子劑量植入任何位置，甚至可以使用專有軟件植入自定義區域或形狀。

摻雜納米材料，如納米線或具有不同元素的量子點，可以改變其性質。Q-One通過允許您靶向單個納米材料并使用各種摻雜劑探索不同的行為，開辟了一個充滿可能性的世界。

應用

離子光刻

Q-One允許用戶執行直接寫入光刻，就像普通FIB一樣，但種類范圍更廣，離子劑量控制更好。使用鉍等重元素進行高效濺射，或使用氫等輕元素進行基于光刻膠的離子光刻，甚至包括單離子事件。

如果沒有檢測每個注入事件的方法，就不可能精確地注入單個離子。系統提供速度和可擴展性，不需要復雜的預制。因此，您可以不受阻礙地選擇植入物種類和目標材料。